帖子

半导体跟 A 股的“小作文行情”一直是经典节目，但这次长鑫与 SK 海力士的剧烈反向走势，核心落脚点是在长鑫科技（688825.SH）刚好在 7 月 27 日刚完成“科创板超级 IPO”上市，并顺势登顶 A 股市值榜首这个极其特殊的时间节点上。 如果把今天这波“光刻机/长鑫拉升”的传闻放到当前的周期大背景下，大致可以拆成三层逻辑： 1. 情绪触发点：小作文的“关键爆点” 中午小作文疯传的核心套路无非两类： 技术突破/绕过 EUV 传闻：声称国产光刻机（或多重曝光/键合技术）在某些关键节点（比如 HBM/先进制程）上取得了“超预期突破”。 产能/订单锁死：传言长鑫获得国内大厂大额 HBM/先进内存长约包产能。 在市场情绪极度高涨、资金疯狂找补涨/承接标的时，小作文不需要百分之百真实，只需要“听起来逻辑通”，就能引发算法交易和追涨资金的瞬间暴动。 2. 为什么长鑫与海力士成了“反向镜像”？ 长鑫科技（A 股叙事：周期爆发 + 资金博弈）： 超级 IPO 刚落地：7 月 27 日刚刚上市，市值冲破 3 万亿。在 A 股当下，它不仅是存储龙头，更是“本土存储唯一承接标的”与“资金风向标”。 通用 DRAM 吃饱周期红利：SK 海力士把 60% 以上先进制程产能调去生产高利润的 HBM4，导致全球通用 DRAM（DDR5/LPDDR5）出现巨大供给缺口。长鑫正好拿下了这部分挤出来的通用市场，业绩迎来爆炸式反转。小作文一推，资金顺理成章以此作为拉升理由。 SK 海力士（韩股/美股叙事：利好出尽与情绪挤压）： 虽然二季度业绩暴涨，但市场对其“扩产后供给过剩”以及“AI 算力资本开支增速放缓”产生隐忧。 加上长鑫在 A 股资本市场吸走大量半导体关注度与溢价，海外资金对“国产替代挤占传统 DRAM 份额”产生了长远预期博弈，直接导致海力士盘中走弱，形成了非常刺眼的反向对比。 3. 如何看待这种“光刻机小作文”行情？ 七分周期与市值，三分小作文：真正在背后推高长鑫股价的，是它7月底刚刚上市形成的极强筹码与博弈效应，叠加存储超级周期的基本面，小作文不过是午后游资拉板的“发令枪”。 注意追高风险：关于光刻机与高端 HBM 突破的传闻，每次大涨时都会反复出现。但无论是 DUV 多重曝光的良率成本，还是设备寿命，离真正无缝替代海外顶尖 EUV 产线仍需要时间验证。 操作提醒：小作文驱动的日内 10% 狂飙，情绪成分极大。情绪高潮时“别脑子一热盲目追高”，等情绪回落、官方公告或行业实测数据落地，再看筹码结构才是更稳妥的策略。